دیتاشیت 1N60G
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت | 1N60G |
---|---|
حجم فایل | 80.756 کیلوبایت |
نوع فایل | |
تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت 1N60G |
1N60G Datasheet |
---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) 1N60G
- Power Dissipation (Pd): -
- Drain Source Voltage (Vdss): 600V
- Continuous Drain Current (Id): 1A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 11Ω@10V,500mA
- Package: SOT-223
- Manufacturer: UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.)